Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR PowerPAK ? 1212-8 Single
0.152
(3.860)
0.016
(0.405)
0.026
(0.660)
0.039
(0.990)
0.025
(0.635)
0.068
(1.725)
0.030
(0.760)
0.010
(0.255)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
Return to Index
Return to Index
Document Number: 72597
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
7
相关PDF资料
SIS452DN-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 12V 1212-8 PPAK
SIS456DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK
SIS468DN-T1-GE3 MOSF N CH 80V 30A 1212-8 PWR PK
SIS892ADN-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V D-S PPAK 1212
SIS902DN-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 75V 1212-8 PPAK
SISA10DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8
SIZ700DT-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8
SIZ710DT-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR
相关代理商/技术参数
SIS43-6R8 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Small Size, Low Profile SMD type
SIS438DN 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SIS438DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 16A 27.7W 9.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIS443DN 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 40 V (D-S) MOSFET
SIS443DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET -40V .0117Ohm@10V 35A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIS444DN 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIS444DN-T1-GE3 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSFET
SIS448DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube